近日，投资160亿元，占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体资产园”，在长沙高新区发动开工建造。该资产园最重要的用于建造具自助常识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装资产制造基地。这边，也将诞生我们国家首条碳化硅全资产链制造线。

第三代半导体资料及器件，是当前全世界半导体资料资产的探讨热点。此中，碳化硅、氮化镓是第三代半导体资料中老练营运资料的典范代表，也是燃料高效能、高频次新款电力电子芯片的要点新资料，在新燃料车子、5G、智能电网、快速轨道交通、半导体照明、航天等范畴有要紧利用价格。

这次开工建造的半导体资产园，致力塑造全球级化合物功率芯片研发、生产与效劳基地。资产园建成后，将造成我们国家首条碳化硅全资产链制造线，研发6英寸碳化硅导电衬底、4英寸半绝缘衬底、碳化硅二极管外延等。达产后，另有望造成超100亿元的资产范围，拉动上下游配套资产产值超1000亿元，缔造就业岗位超万个。

长沙高新区党工委书记周庆年称，第三代半导体资产园名目是长沙市委市政府举全市之力，引入的具全局性、根基性、策略性作用的重要名目。这一名目的落地，对长沙进行第三代半导体资产，改良“三智一芯”策略布置，和奠定长沙在全世界碳化硅市场和化合物半导体范畴的优先位置有要紧作用和意义。

来自：科技日报

作者：俞慧友 何清隆

编辑：廖晨昊