记者 | 彭新

6月30日，三星电子宣告曾经最初大范围制造3纳米芯片，是全世界首家量产3纳米芯片的企业。

三星称，与前几代工艺运用FinFET技艺不同，三星运用的全环绕栅极（gate-all-around, GAA）晶体管技艺，使新开发的第一代3纳米工艺可行下降45%的功耗，功能提升23%，并降低16%的面积。

纳米为一米的十亿分之一，是料理芯片时经常使用的晶体管宽度单位。这种数字越小，芯片制程就越领先进步，也越简单提升功能。三星估计，在下一阶段芯片功能会提升，功耗和产物大小还将进一步下调。

三星并没有推出首次发布消费者名单，也无具体讲明新芯片的产量，但市场传出三星3纳米制程开始消费者有上海磐矽半导体和高通等企业。

在晶圆代工市场，最重要的为台积电和三星两家企业竞争，而台积电仍居于主导位置，占全世界晶圆代工营收的一半以上，也是iPhone、iPad等产物料理器的独家供货商。

至于台积电3纳米制程进展，台积电董事长刘德音曾在本月初的股东会上说起，领先进步制程的进展都依照计划进行中，估计下半年将量产3纳米芯片。

与三星不同的是，台积电将采纳较为老练的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工艺，一直到2025年量产2纳米芯片时，才会采纳GAA技艺。还有报导称，苹果和英特尔正好测试台积电的3纳米制程工艺。这也意指着，三星、台积电将以不同架构设置的3纳米制程发展对决。

日前三星也在开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技艺，声称相干技艺能使晶片效率较7纳米时提升35%、面积降低45%，功耗下降五成。