财联社11月7日电，三星宣告已最初量产三星产物中具备最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。鉴于全新NAND闪存准则Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度多达2.4 Gbps（千兆比特每秒），比较上一代提高了1.2倍，这可行满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的功能请求。
要害词 :
三星
咱要反馈
全球科技公众号
“掌”握科技鲜闻 （微信搜索techsina或扫描左侧二维码关心）
