尽管还无发表全部实质产物，但三星电子现宣告曾经最初大范围制造其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该企业将其命名为第 8 代 V-NAND。

　　新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高档主控运用时，它可让得花费级 SSD 的传输速度轻松超越 12GBps。

　　据推荐，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb （128GB） 的方案，三星电子无公布 IC 的尺寸和实质密度，只是它们称之为业界最高的比特密度。

　　三星声称，与现存相同容量的闪存芯片比较，其新一代 3D NAND 闪存可提升提升 20% 的单晶制造率，从而进一步下降了本钱（在良率相同的概况下），这可能意指着大伙有望购到同容量更廉价的固态硬盘。

　　该企业无显露新品架构，但依据提供的图像，咱们可行假设这是一个双平面 3D NAND 芯片。

　　三星电子闪存产物与技艺执行副总裁 SungHoi Hur 显示：“源于市场对更稠密、很大容量存储的要求推进了更高的 V-NAND 层数，三星采纳了领先进步的 3D 紧缩技艺，以降低外表积和高度，同一时间幸免平常在紧缩时显露的单元间干扰。”“咱们第 8 代 V-NAND 将有助于满足迅速增添的市场要求，并使咱们更好地提供更多差异化的产物和解决方案，这将是未来存储创新的根基。”

　　本年年年，三星公布了其第八代和第九代 V-NAND 产物以及第五代 DRAM 产物。在此此前，该企业日前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 （TLC） 产物。

　　另外，第五代 DRAM 产物将是 10nm （1b） 器件，将于 2023 年映入量产阶段。IT之家理解到，三星将要公布的其余 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

　　三星对其 V-NAND 声称，到 2030 年，它将塑造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一指标，三星正好从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 （QLC） 架构，以提升密度并启用更多层。

　　三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，探讨新的架构和资料，比如 High-K，以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该企业筹算进一步开发其余 DRAM 解决方案，比如内存料理 （PIM）。