在领先进步工艺上，台积电本年底量产3nm工艺，2025年则是量产2nm工艺，这一代会最初运用GAA晶体管，放弃此刻的FinFET晶体管技艺。

　　再此后呢？2nm以后是1.4nm工艺，Intel、台积电及三星这三大芯片厂家也在冲刺，此中三星首个宣告2027年量产1.4nm工艺，台积电没说时间点，估计也是在2027年左右。

　　1.4nm以后便是1nm工艺了，这种节点以前被以为是摩尔定律的物理极限，是没有办法实现的，可是此刻芯片厂家也曾经在攻关中。

　　台积电曾经发动了先导计划，传闻中的1nm晶圆厂将落籍新竹科技园下属的桃园龙潭园区，这意指着台积电曾经最初为1nm做规划了，终归工厂须要提早一两年建造。

　　只是真实量产1nm还须要很长时间，此中要害的设施便是下一代EUV光刻机，要进级下一代的高NA（数值孔径）准则，从此刻的0.33 NA提高到0.55 NA，更高的NA意指着更分辨率更高，是3nm以后的工艺必备的要求。

　　依照ASML的计划，下一代EUV光刻机的试验型号最快明年就最初出货，2025年后达到正规量产能力，售价将达到4亿美元以上。