IT之家10月8日信息，据德媒computerbase信息，三星在SamsungFoundryForum2022运动中推荐了其内存路线图。

　　如上图所示，在将要到来的2023年，三星将映入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面，新一代 GDDR7显存将在明年问世，因而AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。

　　另外，三星还发展了少许长远的设想，如2026年公布DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速度。

　　三星也推出了其闪存的路线图，估计将在2024年公布V9NAND芯片。

　　IT之家曾报导，三星在之前的 TechDay2022运动中指明，其第九代V-NAND正好开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超越1，000层，以更好地扶持未来的数据稠密型技艺。三星还宣告，全世界最高容量的1TbTLCV-NAND将至今年年底向消费者提供。