Intel过去是全世界最领先进步芯片工艺的领导者，然则在14nm到10nm节点之中碰到了难题，导致台积电、三星追赶上来了，而且首先量产了EUV工艺，只是Intel也在努力反超，CEO制订的路线图意指着它们只需2年就可以实现EUV工艺赶超台积电、三星的计划。

　　Intel日前量产的工艺是Intel 7，从明年的14代酷睿最初映入Intel 4工艺，这是Intel首个EUV工艺，以后的Intel 3工艺则是在Intel 4根基上改良。

　　2024年上半年Intel会量产20A工艺，原定2025年量产的18A工艺也提早到了2024年下半年，这两代工艺会放弃FinFET晶体管工艺，初次映入埃米级工艺，用上Intel的两大黑科技技艺，也便是RibbonFET和PowerVia，前者是GAA晶体管的Intel版，后者是Intel首创并独有的背面供电技艺。

　　依照Intel的计划，这种路线图意指着它们在2023-2024年的1-2年内就会实现三代EUV工艺量产，况且技艺水准足以超越台积电重返第一的。

　　要晓得，台积电、三星最早在2018-2019年就最初制造EUV工艺，华为的麒麟990是首个台积电7nm EUV工艺，到2024-2025年的时刻，这两家量产EUV工艺至少5-6年时间，Intel只用1-2年就轻松超过了。

　　Intel此刻的4年量产5代CPU工艺的路线图假如无全部跳票，那真的是Intel的奇迹4年。