作为半导体产业中的焦点，芯片生产是最要害也是最难的，映入10nm节点以后全世界此刻也便是台积电、Intel、三星三家企业抉择接着玩下来。外表来看Intel的进度是最慢的，然则其它两家的工艺“水分”还不小，三星的3nm工艺密度才跟Intel的7nm相当。

　　Digitimes当前发表了探讨汇报，剖析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度难题，对照了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的概况。

　　在10nm节点，三星的晶体管密度唯有0.52亿/毫米2，台积电是0.53亿/毫米2，Intel曾经达到了1.06亿/毫米2，密度高出一倍左右。

　　7nm节点，三星的工艺密度是0.95亿/毫米2，台积电是0.97亿/毫米2，Intel的7nm则是1.8亿/毫米2，依旧高出80%以上。

　　再此后的5nm节点上，三星实现了1.27亿/毫米2的密度，台积电达到了1.73亿/毫米2，Intel的指标是3亿/毫米2，三星与其它两家的差距愈发拉大。

　　到了3nm节点，台积电的晶体管密度大约是2.9亿/毫米2，三星唯有1.7亿/毫米2，Intel的指标是5.2亿/毫米2。

　　2nm节点没多少数据，IBM此前结合三星等企业发表的2nm工艺密度大约是3.33亿/毫米2，台积电的的指标是4.9亿/毫米2。

　　以上数据本来不行100%反应各家的技艺水准，还要考量到功能、功耗、本钱的差距，但就摩尔定律关心的密度来看，Intel在这方面根本仍是依照此前的规范走的，三星、台积电工艺宣传注水还不是甚么新闻了。

　　自然，三星这方面的浮夸可能更多少许，3nm节点的密度还不过是Intel的7nm水准，Intel的5nm工艺全能够直逼IBM 2nm水准，不晓得这该说Intel太老实仍是其它企业太滑头呢？