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内存厂家的新战斗正好悄悄打响,此刻SK海力士官方给出信息称,最初启用EUV光刻机闪存内存芯片。
依照官方的说法,企业的第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 搬动端 DRAM(动态随机存储器)产物曾经在本年7月初最初量产。
SK海力士估计从下半年最初向智能电话厂家供给采纳1a纳米级技艺的搬动端 DRAM。
此前,三星和美光也全显示,将启用EUV光刻机闪存内存芯片以后,只是美光时间上要更晚少许,其要在2024年制造新的EUV内存芯片。
昨年SK海力士宣告斥资90亿美元(约合600亿元)采购Intel闪存部门,合并以后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头,六大原厂将降低为五家。
要害词 :
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